高頻光電導(dǎo)少數(shù)載流子壽命測(cè)試儀 LT-100C

高頻光電導(dǎo)少數(shù)載流子壽命測(cè)試儀   LT-100C  

該儀器為了能直接讀取壽命值編寫了軟件存入數(shù)字存儲(chǔ)示波器，這些軟件依照少子壽命測(cè)量的基本原理編寫，同時(shí)采用了標(biāo)準(zhǔn)（MF28及MF1535）中推薦的幾種讀數(shù)方法。
    該儀器擴(kuò)大了晶體少子壽命可測(cè)范圍，除配置了波長(zhǎng)為1.07μm的紅外發(fā)光管外，增加配備了波長(zhǎng)為0.904～0.905μm光強(qiáng)更強(qiáng)的紅外激光器，減小了光源的余輝，使晶體（研磨面）可測(cè)電阻率低至0.3Ω·cm，壽命可測(cè)下限延至0.25μs。
LT-100C型壽命儀配有兩種光源電極臺(tái)，一種波長(zhǎng)為1.07μm，適合于測(cè)量硅單晶塊或棒的體壽命；另一種波長(zhǎng)為0.904～0.905μm，適合于測(cè)量切割或研磨太陽能硅片的相對(duì)壽命，與微波反射法測(cè)量條件相近，因此測(cè)量值也較接近
高頻光電導(dǎo)少數(shù)載流子壽命測(cè)試儀   LT-100C  

技術(shù)參數(shù)
     （1）儀器測(cè)量范圍：
       少子壽命測(cè)量范圍：0.25μS～10ms；晶體樣品（研磨面）電阻率下限≥0.3Ω·cm，尚未發(fā)現(xiàn)電阻率測(cè)量上限。
        型號(hào)：N型或P型單晶或鑄造多晶。
  （2）光脈沖發(fā)生裝置
      重復(fù)頻率＞15次/S      脈寬≥10μs        
紅外光源長(zhǎng)波長(zhǎng)：1.06～1.08μm         脈沖電流：5a～16A
紅外光源短波長(zhǎng)：0.904～0.905μm     脈沖電流：5a～16A
（3）高頻源
      頻率：30MHZ       低輸出阻抗          輸出功率＞1W
（4）放大器和檢波器
      頻率響應(yīng)：2HZ～2MHZ
放大倍數(shù)：30倍（約）
     （5）儀器所配置的光源電極臺(tái)既可測(cè)縱向放置的單晶，亦可測(cè)量豎放單晶橫截面的壽命。配置增加了測(cè)量低阻樣片用的升降臺(tái)以及裝有特殊彈形電極的光源電極臺(tái)。
     （6）讀數(shù)方式：可選配載流子壽命測(cè)試軟件系統(tǒng)或數(shù)字示波器讀數(shù)，軟件系統(tǒng)測(cè)試操作簡(jiǎn)單，點(diǎn)擊“測(cè)量"即可，自動(dòng)保存數(shù)據(jù)及相應(yīng)測(cè)試點(diǎn)衰減波形到數(shù)據(jù)庫，可進(jìn)行查詢歷史數(shù)據(jù)和導(dǎo)出歷史數(shù)據(jù)等操作。